今天，三星正式向媒体宣布：下一代高速芯片GDDR6已经开始进行大批量生产，这代表三星在GDDR6的起步阶段暂时领先于同行SK海力士和镁光，同时韩国三星也成为了第一个大规模生产GDDR6存储芯片的公司。三星16Gb（2GB）芯片采用10nm工艺制造，工作电压为1.35V。新的芯片具有高达18Gb / s的接口pin，能够达到72GB / s的传输速率。

三星目前的8Gb（1GB）GDDR5内存芯片除了具有一半的密度外，还可以在1.55V下工作，速度高达9Gb / s。三星在CES 2018年发布的新闻中简要提到了即将发布的这些芯片。然而，真实的GDDR6速度明显快于先前宣布的16Gb/s pin和64GB/s传输速率，这让媒体大跌眼镜。

在半年前，SK海力士发不了GDDR6芯片的详细信息，而镁光则表示，在2018年GDDR6芯片将大规模生产。SK海力士首款GDDR6据称是速度为8GB、16Gb/s的芯片，而镁光则未对媒体详细说明芯片参数，但是预测镁光的GDDR6芯片将拥有高达12Gb/s速度，与目前速度最快的GDDR5X芯片速度大致相同，在经过后续优化后最终能达到16Gb/s。

GDDR6芯片将被首先用于Nvidia Volta 显卡，其中256-bit带宽版传输速率为512GB/s，而384-bit带宽版传输速率为768GB/s。相信新一代Nvidia Volta显卡的上市将助力依靠图形工作站的深度学习行业。