英特尔正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺的固态硬盘。但是对于英特尔而言，已经不仅仅是将固态硬盘向34nm制程工艺发展，而且在努力使其在不增加容量的前提下更快，更廉价的产品。

　    生产工艺的进步加上新版控制器和固件，使得34nm X25-M固态硬盘的性能有了不小的提升，英特尔推出的X25-M和X18-M产品有80和160GB的容量，其使用2-bit 50nm的多级单元技术。32GB和64GB的X25-E为单级单元，单级单元的速度要超过多级单元。

       英特尔34nm固态盘 英特尔副总裁兼NAND解决方案总经理Randy Wilhelm表示，“我们的目标不仅是第一个实现34nm NAND固态盘的推广，更是要提供用户比50纳米版本更好的表现性能” 　　

       不过目前只有X25-M系列产品会采用34nm进程。另外据英特尔表示，新34nm X25-M固态盘将兼容目前所有50nm系列版本，并会继续向下兼容以取代现有的硬盘。多级单元(MLC)固态盘提供80GB和160GB的版本。 另外，新的Intel X25-M系列产品改进的延迟和更快的随机IOPS，由于外壳采用的是硅脂，那样就将成本大大削减了60%。相比50nm系列版本，新的固态硬盘预计将减少延迟25％，4KB随机读取性能提升至35000 IOPS，而4KB随机写入性能亦提升至6600 IOPS(80GB)、8600 IOPS(160GB)。 　　

      此外，英特尔还将发布新固件以支持Windows 7 TRIM指令，并且还会发放优化工具以提升在XP/Vista系统下的性能。80GB为225美元，160GB为440美元。