由于制程工艺的停滞不前，几十年来一直遵循的摩尔定律被悄然打破，14nm工艺三代平台使用，这对于整个PC行业来说是一次原地踏步，也可以说是倒退。早在2年前，就有消息传出英特尔已成功研发出10nm甚至7nm制程，经过漫长的等待，近日intel（英特尔）正式公布了10纳米工艺制程，采用超微缩技术 （hyper scaling），充分运用了多图案成形设计 （multi-patterning schemes），可获得更小的体积，逻辑晶体管密度提高了2.7倍，有效降低产品成本和功耗。官方表示相关产品会在Cannon Lake移动平台上采用，将在2017年年底开始量产，2018年能看到，而桌面级Ice Lake会在2018年第二季度看到。

新的10nm制程工艺最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是14纳米制程的2.7倍，是市场中已知三星和台积电10纳米的2倍，单位体积下能塞下更多晶体管。性能能耗表现，相比14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗，对比台积电、三星等优势明显。另外，英特尔还表示，7nm工艺技术研发已完成，不久将来会看到，而5nm已经在研发，至于3nm他们也表示异常艰难，这是硅基半导体的极限，不过英特尔明确表示会继续挑战极限。